FP75R07N2E4BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FP75R07N2E4BOSA1 | FP75R07N2E4BOSA1 Inventory, Best Pricing

FP75R07N2E4BOSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FP75R07N2E4BOSA1
LIXINC Part #	FP75R07N2E4BOSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 650V 95A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FP75R07N2E4BOSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FP75R07N2E4BOSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	FP75R07N2E4BOSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
kokoonpano:	Three Phase Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	95 A
teho - max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 75A
virta - kollektorin katkaisu (max):	1 mA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	4.6 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	Module
toimittajan laitepaketti:	Module