CPV362M4F | Vishay General Semiconductor – Diodes Division CPV362M4F

CPV362M4F

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	CPV362M4F
LIXINC Part #	CPV362M4F
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	CPV362M4F PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

CPV362M4F Tekniset tiedot

Osa numero:	CPV362M4F
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	-
kokoonpano:	Three Phase Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	600 V
virta - kollektori (ic) (max):	8.8 A
teho - max:	23 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.66V @ 15V, 8.8A
virta - kollektorin katkaisu (max):	250 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	0.34 nF @ 30 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
toimittajan laitepaketti:	IMS-2