VS-ENQ030L120S | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-ENQ030L120S
LIXINC Part #	VS-ENQ030L120S
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-ENQ030L120S PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-ENQ030L120S Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-ENQ030L120S
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench
kokoonpano:	Three Level Inverter
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	61 A
teho - max:	216 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 30A
virta - kollektorin katkaisu (max):	230 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	3.34 nF @ 30 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	Yes
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	EMIPAK-1B
toimittajan laitepaketti:	EMIPAK-1B