VS-GT100DA120UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-GT100DA120UF
LIXINC Part #	VS-GT100DA120UF
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - moduulit
Kuvaus	IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-GT100DA120UF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-GT100DA120UF Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-GT100DA120UF
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - moduulit
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	HEXFRED®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench
kokoonpano:	Single
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	1200 V
virta - kollektori (ic) (max):	187 A
teho - max:	890 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 100A
virta - kollektorin katkaisu (max):	100 µA
tulokapasitanssi (cies) @ vce:	6.15 nF @ 25 V
syöttö:	Standard
ntc termistori:	No
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Chassis Mount
paketti/laukku:	SOT-227-4, miniBLOC
toimittajan laitepaketti:	SOT-227