SQJQ906EL-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJQ906EL-T1_GE3 | SQJQ906EL-T1

SQJQ906EL-T1_GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SQJQ906EL-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJQ906EL-T1_GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Kuvaus	MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SQJQ906EL-T1_GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SQJQ906EL-T1_GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SQJQ906EL-T1_GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual)
fet-ominaisuus:	Standard
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	160A (Tc)
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	45nC @ 10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3238pF @ 20V
teho - max:	187W
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	PowerPAK® 8 x 8 Dual
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® 8 x 8 Dual