BZD27B8V2P-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 | BZD27B8V2P-HE3-18 Inventory, Best Pricing

BZD27B8V2P-HE3-18

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BZD27B8V2P-HE3-18
LIXINC Part #	BZD27B8V2P-HE3-18
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - zener - single
Kuvaus	DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BZD27B8V2P-HE3-18 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BZD27B8V2P-HE3-18 Tekniset tiedot

Osa numero:	BZD27B8V2P-HE3-18
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - zener - single
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	Automotive, AEC-Q101, BZD27B
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
jännite - zener (nom) (vz):	8.2 V
toleranssi:	-
teho - max:	800 mW
impedanssi (max) (zzt):	2 Ohms
virta - käänteinen vuoto @ vr:	10 µA @ 3 V
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.2 V @ 200 mA
Käyttölämpötila:	-65°C ~ 175°C
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-219AB
toimittajan laitepaketti:	DO-219AB (SMF)