BLP10H660PGY | Ampleon BLP10H660PGY | BLP10H660PGY Inventory, Best Pricing

BLP10H660PGY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLP10H660PGY
LIXINC Part #	BLP10H660PGY
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLP10H660PGY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 23 - Oct 27 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLP10H660PGY Tekniset tiedot

Osa numero:	BLP10H660PGY
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	1GHz
saada:	18dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	1.4µA
melukuva:	-
virta - testi:	40 mA
teho - lähtö:	60W
jännite - nimellinen:	110 V
paketti/laukku:	SOT-1224-2
toimittajan laitepaketti:	4-HSOPF

BLF0910H6LS500U	RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751	882 Lisää tilauksesta
MRF6S23140HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	2076 Lisää tilauksesta
MRFE6S9135HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1019 Lisää tilauksesta
BLSC9G2731XS-200Z	BLSC9G2731XS-200/SOT1270/TRAYDP	930 Lisää tilauksesta
MRFE6S9160HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	2455 Lisää tilauksesta
BLS7G2729LS-350P,1	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	882 Lisää tilauksesta
AFT05MS006NT1	FET RF 30V 520MHZ PLD	2558 Lisää tilauksesta
MRF8S18120HSR3	RF L BAND, N-CHANNEL	1905 Lisää tilauksesta
MW7IC2020NT1	RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN	1657 Lisää tilauksesta
MRF136Y	FET RF 65V 400MHZ 319B-02	965 Lisää tilauksesta
BLM9D2327-26BZ	BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP	1434 Lisää tilauksesta
MRFE6S9135HR5	FET RF 66V 940MHZ NI-880	901 Lisää tilauksesta
BLM7G1822S-80ABGY	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121	837 Lisää tilauksesta