BLP8G05S-200GY | Ampleon BLP8G05S-200GY | BLP8G05S-200GY Inventory, Best Pricing

BLP8G05S-200GY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLP8G05S-200GY
LIXINC Part #	BLP8G05S-200GY
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLP8G05S-200GY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 23 - Oct 27 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLP8G05S-200GY Tekniset tiedot

Osa numero:	BLP8G05S-200GY
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	440MHz
saada:	21dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	2 mA
teho - lähtö:	210W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-1204-2
toimittajan laitepaketti:	4-HSOP

BLM8G0710S-15PBY	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112	1012 Lisää tilauksesta
BLF888EU	RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A	844 Lisää tilauksesta
BLP05H675XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	973 Lisää tilauksesta
BLP10H660PGY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP	888 Lisää tilauksesta
BLF0910H6LS500U	RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751	904 Lisää tilauksesta
MRF6S23140HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	2130 Lisää tilauksesta
MRFE6S9135HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1069 Lisää tilauksesta
BLSC9G2731XS-200Z	BLSC9G2731XS-200/SOT1270/TRAYDP	854 Lisää tilauksesta
MRFE6S9160HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	2372 Lisää tilauksesta
BLS7G2729LS-350P,1	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	994 Lisää tilauksesta
AFT05MS006NT1	FET RF 30V 520MHZ PLD	2448 Lisää tilauksesta
MRF8S18120HSR3	RF L BAND, N-CHANNEL	1845 Lisää tilauksesta
MW7IC2020NT1	RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN	1644 Lisää tilauksesta