BLF6G10LS-200RN,11 | Ampleon BLF6G10LS-200RN,11 | BLF6G10LS-200RN,11 Inventory, Best Pricing

BLF6G10LS-200RN,11

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLF6G10LS-200RN,11
LIXINC Part #	BLF6G10LS-200RN,11
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLF6G10LS-200RN,11 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 23 - Oct 27 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLF6G10LS-200RN,11 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLF6G10LS-200RN,11
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	871.5MHz ~ 891.5MHz
saada:	20dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	49A
melukuva:	-
virta - testi:	1.4 A
teho - lähtö:	40W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-502B
toimittajan laitepaketti:	SOT502B

BLP8G05S-200GY	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042	958 Lisää tilauksesta
BLM8G0710S-15PBY	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112	971 Lisää tilauksesta
BLF888EU	RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A	983 Lisää tilauksesta
BLP05H675XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	1065 Lisää tilauksesta
BLP10H660PGY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP	936 Lisää tilauksesta
BLF0910H6LS500U	RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751	979 Lisää tilauksesta
MRF6S23140HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	2127 Lisää tilauksesta
MRFE6S9135HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	963 Lisää tilauksesta
BLSC9G2731XS-200Z	BLSC9G2731XS-200/SOT1270/TRAYDP	1020 Lisää tilauksesta
MRFE6S9160HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	2376 Lisää tilauksesta
BLS7G2729LS-350P,1	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	818 Lisää tilauksesta
AFT05MS006NT1	FET RF 30V 520MHZ PLD	2535 Lisää tilauksesta
MRF8S18120HSR3	RF L BAND, N-CHANNEL	1770 Lisää tilauksesta