BLP05H635XRGY | Ampleon BLP05H635XRGY | BLP05H635XRGY Inventory, Best Pricing

BLP05H635XRGY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLP05H635XRGY
LIXINC Part #	BLP05H635XRGY
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLP05H635XRGY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLP05H635XRGY Tekniset tiedot

Osa numero:	BLP05H635XRGY
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual), Common Source
taajuus:	108MHz
saada:	27dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	35W
jännite - nimellinen:	135 V
paketti/laukku:	SOT-1224-2
toimittajan laitepaketti:	4-HSOPF

MCH3414-EBM-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	99857 Lisää tilauksesta
MRF6V4300NBR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1421 Lisää tilauksesta
PD57018STR-E	TRANSISTOR RF POWERSO-10	1342 Lisää tilauksesta
BLF9G20LS-160VU	RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B	1081 Lisää tilauksesta
CGHV40030F	RF MOSFET HEMT 50V 440166	2395 Lisää tilauksesta
PD54008TR-E	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF	962 Lisää tilauksesta
A2T21H360-24SR6	IC TRANS RF LDMOS	972 Lisää tilauksesta
MD7P19130HR3	RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL	3233 Lisää tilauksesta
MRF6S21190HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	1053 Lisää tilauksesta
MRF6VP41KHR5	RF N-CHANNEL, MOSFET	1410 Lisää tilauksesta
CGH25120F	120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET	859 Lisää tilauksesta
A2T27S007NT1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	958 Lisää tilauksesta
MMBFJ309	RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA	4940 Lisää tilauksesta