A2T20H330W24SR6 | NXP Semiconductors A2T20H330W24SR6 | A2T20H330W24SR6 Inventory, Best Pricing

A2T20H330W24SR6

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A2T20H330W24SR6
LIXINC Part #	A2T20H330W24SR6
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	IC TRANS RF LDMOS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A2T20H330W24SR6 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A2T20H330W24SR6 Tekniset tiedot

Osa numero:	A2T20H330W24SR6
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Not For New Designs
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	1.88GHz
saada:	16.5dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	700 mA
teho - lähtö:	58W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	NI-1230-4LS2L
toimittajan laitepaketti:	NI-1230-4LS2L

BLF8G10LS-270V,112	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F	931 Lisää tilauksesta
BLF189XRBSU	RF MOSFET SOT539 TRAY	950 Lisää tilauksesta
BLM7G1822S-20PBY	RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111	926 Lisää tilauksesta
150-102N02A-00	RF MOSFET N-CHANNEL DE150	1099 Lisää tilauksesta
BLS9G2731LS-400U	RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B	941 Lisää tilauksesta
CGH09120F	RF MOSFET HEMT 28V 440095	1060 Lisää tilauksesta
BLF6G38-10G,112	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C	927 Lisää tilauksesta
BLS6G2933S-130,112	RF FET LDMOS 60V 12.5DB SOT9221	951 Lisää tilauksesta
BLF898SU	RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B	961 Lisää tilauksesta
CLF1G0035S-50,112	RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B	826 Lisää tilauksesta
IRFAC50	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1121 Lisää tilauksesta
CGHV40200PP	RF MOSFET HEMT 440199	1054 Lisää tilauksesta
BLM8D1822-25BZ	RF MOSFET LDMOS SOT1462-1	926 Lisää tilauksesta