AFT26P100-4WSR3 | Rochester Electronics AFT26P100-4WSR3 | AFT26P100-4WSR3 Inventory, Best Pricing

AFT26P100-4WSR3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AFT26P100-4WSR3
LIXINC Part #	AFT26P100-4WSR3
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF N CHANNEL, MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AFT26P100-4WSR3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AFT26P100-4WSR3 Tekniset tiedot

Osa numero:	AFT26P100-4WSR3
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	2.69GHz
saada:	15.1dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	200 mA
teho - lähtö:	22W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	NI-780S-4
toimittajan laitepaketti:	NI-780S-4

CGH27015F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	995 Lisää tilauksesta
MRF6V2300NBR5	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	903 Lisää tilauksesta
BLC9G27LS-151AVY	RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12753	872 Lisää tilauksesta
MRF8S21100HSR3	RF S BAND, N-CHANNEL	1715 Lisää tilauksesta
BLF881,112	RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C	961 Lisää tilauksesta
ADR425CR-REEL7	ULTRAPRECISION, LOW NOISE, 5.00V	3830 Lisää tilauksesta
MCH6306-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	210855 Lisää tilauksesta
AFT23H200-4S2LR6	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4	836 Lisää tilauksesta
PD55008TR-E	TRANSISTOR RF POWERSO-10	1112 Lisää tilauksesta
BLL6H1214P2S-250Z	RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE	967 Lisää tilauksesta
CLF1G0060S-30U	RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B	937 Lisää tilauksesta
CGHV14500F	RF MOSFET HEMT 50V 440117	900 Lisää tilauksesta
BLF10H6600PU	RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A	991 Lisää tilauksesta