BLM8G0710S-60PBY | Ampleon BLM8G0710S-60PBY | BLM8G0710S-60PBY Inventory, Best Pricing

BLM8G0710S-60PBY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLM8G0710S-60PBY
LIXINC Part #	BLM8G0710S-60PBY
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLM8G0710S-60PBY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLM8G0710S-60PBY Tekniset tiedot

Osa numero:	BLM8G0710S-60PBY
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	957.5MHz
saada:	36.2dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	60 mA
teho - lähtö:	6W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-1211-2
toimittajan laitepaketti:	16-HSOPF

PTVA101K02EV-V1-R0	IC AMP RF LDMOS H-36275-4	888 Lisää tilauksesta
BLF7G24LS-140,112	RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B	930 Lisää tilauksesta
BLS7G2933S-150,112	RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI	952 Lisää tilauksesta
BLP10H630PGY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP	851 Lisää tilauksesta
AFT09MS031GNR1	FET RF 40V 870MHZ TO270-2G	2699 Lisää tilauksesta
BLF0910H9LS600J	BLF0910H9LS600/SOT502/REEL	895 Lisää tilauksesta
BF1201R,215	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R	811 Lisää tilauksesta
MRF7S24250NR3	RF MOSFET LDMOS 30V OM780-2	1092 Lisää tilauksesta
PD57030-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	1688 Lisää tilauksesta
MRFX1K80NR5	RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L	1017 Lisää tilauksesta
BLP05H6250XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	843 Lisää tilauksesta
MRF8S9220HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1128 Lisää tilauksesta
CE3520K3-C1	RF FET 4V 20GHZ 4MICROX	9255 Lisää tilauksesta