AFT18P350-4S2LR6 | NXP Semiconductors AFT18P350-4S2LR6 | AFT18P350-4S2LR6 Inventory, Best Pricing

AFT18P350-4S2LR6

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AFT18P350-4S2LR6
LIXINC Part #	AFT18P350-4S2LR6
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AFT18P350-4S2LR6 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AFT18P350-4S2LR6 Tekniset tiedot

Osa numero:	AFT18P350-4S2LR6
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	1.81GHz
saada:	16.1dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	1 A
teho - lähtö:	63W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	NI-1230-4LS2L
toimittajan laitepaketti:	NI-1230-4LS2L

MRF6S21100NBR1	FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4	856 Lisää tilauksesta
BLP8G20S-80PY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231	895 Lisää tilauksesta
ON5234,118	ON5234 - MOSFET	908 Lisää tilauksesta
LF398P	SAMPLE AND HOLD CIRCUIT	5974 Lisää tilauksesta
MMBFJ309LT1G	RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3	622318862 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-361AVTZ	RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583	911 Lisää tilauksesta
CE3521M4-C2	RF FET 4V 20GHZ SOT343	9137 Lisää tilauksesta
GTVA220701FA-V1-R0	RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ	803 Lisää tilauksesta
BLF573,112	RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST	1058 Lisää tilauksesta
2SK3557-7-TB-E	RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP	2147484485 Lisää tilauksesta
MRF8P29300HR6	FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230	935 Lisää tilauksesta
BLC8G24LS-241AVY	RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521	883 Lisää tilauksesta
MRF6VP3450HR6	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	1058 Lisää tilauksesta