MMRF1304GNR1 | NXP Semiconductors MMRF1304GNR1 | MMRF1304GNR1 Inventory, Best Pricing

MMRF1304GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MMRF1304GNR1
LIXINC Part #	MMRF1304GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 133V 512MHZ TO270-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MMRF1304GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MMRF1304GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MMRF1304GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	512MHz
saada:	25.4dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	10 mA
teho - lähtö:	25W
jännite - nimellinen:	133 V
paketti/laukku:	TO-270BA
toimittajan laitepaketti:	TO-270-2 GULL

GTVA104001FA-V1-R0	400W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET	936 Lisää tilauksesta
MMRF5014HR5	FET RF 125V 2.5GHZ NI360	1125 Lisää tilauksesta
BLF8G24LS-100VJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	840 Lisää tilauksesta
CG2H80015D-GP4	RF DISCRETE	973 Lisää tilauksesta
BLF8G20LS-400PGVQ	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C	1055 Lisää tilauksesta
BLC9H10XS-300PY	BLC9H10XS-300P/SOT1273/REELDP	857 Lisää tilauksesta
CGH35060F2	60W GAN HEMT 28V 4.0GHZ FLANGE	822 Lisää tilauksesta
BLF7G27L-100,112	RF TRANSISTOR	952 Lisää tilauksesta
BF861C,215	JFET N-CH 25V 25MA SOT23	54836 Lisää tilauksesta
MRF6VP2600HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1364 Lisää tilauksesta
BLF888B,112	RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A	946 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-240PVY	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753	959 Lisää tilauksesta
MMRF1314GSR5	TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V	803 Lisää tilauksesta