MRF7S21110HR3 | NXP Semiconductors MRF7S21110HR3 | MRF7S21110HR3 Inventory, Best Pricing

MRF7S21110HR3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRF7S21110HR3
LIXINC Part #	MRF7S21110HR3
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRF7S21110HR3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRF7S21110HR3 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRF7S21110HR3
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.17GHz
saada:	17.3dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	1.1 A
teho - lähtö:	33W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-957A
toimittajan laitepaketti:	NI-780H-2L

BLF1721M8LS200U	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	997 Lisää tilauksesta
BLF189XRAU	BLF189XRA/SOT539/TRAY	942 Lisää tilauksesta
IXZ210N50L2	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	934 Lisää tilauksesta
PTVA127002EV-V1	700W SI LDMOS, 50V, 1200-1400MHZ	905 Lisää tilauksesta
GTVA123501FA-V1-R0	350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET	879 Lisää tilauksesta
BLA6H1011-600,112	RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI	917 Lisää tilauksesta
BLS9G3135L-115U	BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY	959 Lisää tilauksesta
BLP05H6150XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	975 Lisää tilauksesta
MMRF1304NR1	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	864 Lisää tilauksesta
BLF7G22LS-160,112	RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI	834 Lisää tilauksesta
MMRF1006HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	879 Lisää tilauksesta
BLF7G20LS-200,112	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	954 Lisää tilauksesta
BLF6G38-10G,118	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C	826 Lisää tilauksesta