A2I08H040NR1 | NXP Semiconductors A2I08H040NR1 | A2I08H040NR1 Inventory, Best Pricing

A2I08H040NR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	A2I08H040NR1
LIXINC Part #	A2I08H040NR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	IC RF LDMOS AMP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	A2I08H040NR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

A2I08H040NR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	A2I08H040NR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	920MHz
saada:	30.7dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	25 mA
teho - lähtö:	9W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	TO-270-15 Variant, Flat Leads
toimittajan laitepaketti:	TO-270WB-15

3SK292(TE85R,F)	MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ	3543 Lisää tilauksesta
MRFX600GSR5	TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V	1020 Lisää tilauksesta
BLC8G21LS-160AVY	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751	918 Lisää tilauksesta
MRFE6VP5150NR1	RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270	959 Lisää tilauksesta
ARF465AG	RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247	948 Lisää tilauksesta
BLF8G24LS-100VU	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	901 Lisää tilauksesta
BLS7G2325L-105,112	RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A	841 Lisää tilauksesta
MRF151A	FET RF N-CH 50V 150W P-244	931 Lisää tilauksesta
BLC9G20LS-120VZ	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753	984 Lisää tilauksesta
BF244C	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	34269 Lisää tilauksesta
BF1201WR,115	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R	123961 Lisää tilauksesta
MCH6408-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	39886 Lisää tilauksesta
BLS7G3135LS-350P,1	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B	947 Lisää tilauksesta