MRFE6VP5300GNR1 | NXP Semiconductors MRFE6VP5300GNR1 | MRFE6VP5300GNR1 Inventory, Best Pricing

MRFE6VP5300GNR1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MRFE6VP5300GNR1
LIXINC Part #	MRFE6VP5300GNR1
Valmistaja	NXP Semiconductors
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MRFE6VP5300GNR1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MRFE6VP5300GNR1 Tekniset tiedot

Osa numero:	MRFE6VP5300GNR1
Brändi:	NXP Semiconductors
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	NXP Semiconductors
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS (Dual)
taajuus:	230MHz
saada:	27dB
jännite - testi:	50 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	100 mA
teho - lähtö:	300W
jännite - nimellinen:	133 V
paketti/laukku:	TO-270BB
toimittajan laitepaketti:	TO-270 WB-4 Gull

BLF6G15L-40BRN,112	RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI	1047 Lisää tilauksesta
BLC8G27LS-60AVZ	TRANS RF 60W LDMOS DFM6F	899 Lisää tilauksesta
A2V09H400-04NR3	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	919 Lisää tilauksesta
TAV-551+	SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 45 - 60	932 Lisää tilauksesta
BLF178P,112	RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A	956 Lisää tilauksesta
BLF989EU	BLF989E/SOT539/TRAY	872 Lisää tilauksesta
MRF6S19100HR3	FET RF 68V 1.99GHZ NI-780	870 Lisää tilauksesta
BLF8G20LS-400PGVJ	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C	1090 Lisää tilauksesta
CGHV1J070D-GP4	RF MOSFET HEMT 40V DIE	1788 Lisää tilauksesta
BF1203,115	FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP	932 Lisää tilauksesta
BLC8G09XS-400AVTZ	RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7	887 Lisää tilauksesta
BLF6G21-10G,135	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	932 Lisää tilauksesta
MRF7S38075HSR3	RF S BAND, N-CHANNEL	2812 Lisää tilauksesta