BLF8G27LS-140,112 | Ampleon BLF8G27LS-140,112 | BLF8G27LS-140,112 Inventory, Best Pricing

BLF8G27LS-140,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLF8G27LS-140,112
LIXINC Part #	BLF8G27LS-140,112
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLF8G27LS-140,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLF8G27LS-140,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLF8G27LS-140,112
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.62GHz ~ 2.69GHz
saada:	17.4dB
jännite - testi:	32 V
nykyinen arvo (ampeeria):	-
melukuva:	-
virta - testi:	1.3 A
teho - lähtö:	45W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-502B
toimittajan laitepaketti:	SOT502B

BLA9H0912LS-250GU	BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY	952 Lisää tilauksesta
MRF8S9120NR3	SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL	928 Lisää tilauksesta
2SK3092-TL-E	NCH 15V DRIVE SERIES	49104 Lisää tilauksesta
MRF7S21080HSR3	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S	889 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-270,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	815 Lisää tilauksesta
MRF7S21080HR3	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	885 Lisää tilauksesta
J111RLRP	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET	127892 Lisää tilauksesta
BF909R,215	N-CHANNEL POWER MOSFET	3803 Lisää tilauksesta
MRF1535NT1	FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP	1402 Lisää tilauksesta
MRFE6S9201HSR5	FET RF 66V 880MHZ NI-780S	971 Lisää tilauksesta
BLF8G27LS-140,118	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B	876 Lisää tilauksesta
CG2H80060D-GP4	RF DISCRETE	966 Lisää tilauksesta
BLM9D0910-05AMZ	BLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP	1900 Lisää tilauksesta