BLF7G27LS-100,112 | Ampleon BLF7G27LS-100,112 | BLF7G27LS-100,112 Inventory, Best Pricing

BLF7G27LS-100,112

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BLF7G27LS-100,112
LIXINC Part #	BLF7G27LS-100,112
Valmistaja	Ampleon
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - rf
Kuvaus	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BLF7G27LS-100,112 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BLF7G27LS-100,112 Tekniset tiedot

Osa numero:	BLF7G27LS-100,112
Brändi:	Ampleon
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - rf
Valmistaja:	Ampleon
sarja:	-
paketti:	Tray
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	LDMOS
taajuus:	2.5GHz ~ 2.7GHz
saada:	18dB
jännite - testi:	28 V
nykyinen arvo (ampeeria):	28A
melukuva:	-
virta - testi:	900 mA
teho - lähtö:	20W
jännite - nimellinen:	65 V
paketti/laukku:	SOT-502B
toimittajan laitepaketti:	SOT502B

MRF6S27015GNR1	FET RF 68V 2.6GHZ TO270-2 GW	966 Lisää tilauksesta
MMBFJ310LT1G	RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23	2147484510 Lisää tilauksesta
BLF884P,112	RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A	910 Lisää tilauksesta
3SK294(TE85L,F)	FET RF 12.5V 500MHZ USQ	846 Lisää tilauksesta
BLC2425M8LS300PY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501	885 Lisää tilauksesta
CLF1G0035-50,112	RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467C	1016 Lisää tilauksesta
BLS9G2735L-50U	RF MOSFET SOT1135A	1013 Lisää tilauksesta
BLF8G10LS-270GV,12	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	926 Lisää tilauksesta
PD55003-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO10	2147 Lisää tilauksesta
BLA8H0910L-500U	RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A	992 Lisää tilauksesta
A3G18H500-04SR3	RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L	931 Lisää tilauksesta
NE3514S02-T1D-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	992 Lisää tilauksesta
BLF2425M9LS30J	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B	892 Lisää tilauksesta