MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S111P(TE12L,F) | MT3S111P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

MT3S111P(TE12L,F)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MT3S111P(TE12L,F)
LIXINC Part #	MT3S111P(TE12L,F)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Kuvaus	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MT3S111P(TE12L,F) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MT3S111P(TE12L,F) Tekniset tiedot

Osa numero:	MT3S111P(TE12L,F)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
transistorin tyyppi:	NPN
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	6V
taajuus - siirtymä:	8GHz
melukuva (db tyyppi @ f):	1.25dB @ 1GHz
saada:	10.5dB
teho - max:	1W
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
virta - kollektori (ic) (max):	100mA
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-243AA
toimittajan laitepaketti:	PW-MINI