1N6483HE3/97 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	1N6483HE3/97
LIXINC Part #	1N6483HE3/97
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	1N6483HE3/97 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

1N6483HE3/97 Tekniset tiedot

Osa numero:	1N6483HE3/97
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	SUPERECTIFIER®
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	800 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	1A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.1 V @ 1 A
nopeus:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	-
virta - käänteinen vuoto @ vr:	10 µA @ 800 V
kapasitanssi @ vr, f:	8pF @ 4V, 1MHz
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-213AB, MELF (Glass)
toimittajan laitepaketti:	DO-213AB
käyttölämpötila - risteys:	-65°C ~ 175°C