IDB30E120ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IDB30E120ATMA1 | IDB30E120ATMA1 Inventory, Best Pricing

IDB30E120ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IDB30E120ATMA1
LIXINC Part #	IDB30E120ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IDB30E120ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 20 - Oct 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IDB30E120ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IDB30E120ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	1200 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	50A (DC)
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	2.15 V @ 30 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	243 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	100 µA @ 1200 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-3-2
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C