NSB8GTHE3_A/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NSB8GTHE3_A/P

NSB8GTHE3_A/P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NSB8GTHE3_A/P
LIXINC Part #	NSB8GTHE3_A/P
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NSB8GTHE3_A/P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NSB8GTHE3_A/P Tekniset tiedot

Osa numero:	NSB8GTHE3_A/P
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tube
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	400 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	8A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.1 V @ 8 A
nopeus:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	-
virta - käänteinen vuoto @ vr:	10 µA @ 400 V
kapasitanssi @ vr, f:	55pF @ 4V, 1MHz
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C