VB20120SG-M3/8W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VB20120SG-M3/8W

VB20120SG-M3/8W

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VB20120SG-M3/8W
LIXINC Part #	VB20120SG-M3/8W
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VB20120SG-M3/8W PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 20 - Oct 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VB20120SG-M3/8W Tekniset tiedot

Osa numero:	VB20120SG-M3/8W
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Schottky
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	120 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	20A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.33 V @ 20 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	-
virta - käänteinen vuoto @ vr:	250 µA @ 120 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C