1N4150W-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	1N4150W-HE3-18
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-18
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	1N4150W-HE3-18 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 20 - Oct 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

1N4150W-HE3-18 Tekniset tiedot

Osa numero:	1N4150W-HE3-18
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	50 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	200mA
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1 V @ 200 mA
nopeus:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
käänteinen palautumisaika (trr):	4 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	100 nA @ 50 V
kapasitanssi @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	SOD-123
toimittajan laitepaketti:	SOD-123
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C