BYG10J-M3/TR | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG10J-M3/TR

BYG10J-M3/TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BYG10J-M3/TR
LIXINC Part #	BYG10J-M3/TR
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BYG10J-M3/TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 20 - Oct 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BYG10J-M3/TR Tekniset tiedot

Osa numero:	BYG10J-M3/TR
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Avalanche
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	600 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	1.5A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.15 V @ 1.5 A
nopeus:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	4 µs
virta - käänteinen vuoto @ vr:	1 µA @ 600 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-214AC, SMA
toimittajan laitepaketti:	DO-214AC (SMA)
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C