VS-HFA08TB120S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3 | VS-HFA08TB120S-M3 Inventory, Best Pricing

VS-HFA08TB120S-M3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-HFA08TB120S-M3
LIXINC Part #	VS-HFA08TB120S-M3
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-HFA08TB120S-M3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-HFA08TB120S-M3 Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-HFA08TB120S-M3
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	HEXFRED®
paketti:	Tube
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	1200 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	8A (DC)
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	4.3 V @ 16 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	95 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	10 µA @ 1200 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB (D²PAK)
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C