STGP4M65DF2 | STMicroelectronics STGP4M65DF2 | STGP4M65DF2 Inventory, Best Pricing

STGP4M65DF2

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STGP4M65DF2
LIXINC Part #	STGP4M65DF2
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STGP4M65DF2 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STGP4M65DF2 Tekniset tiedot

Osa numero:	STGP4M65DF2
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	M
paketti:	Tube
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	8 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	16 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
teho - max:	68 W
vaihtoenergiaa:	40µJ (on), 136µJ (off)
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	15.2 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	12ns/86ns
testi kunto:	400V, 4A, 47Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	133 ns
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-220-3
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB