RGT80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC11 | RGT80TS65DGC11 Inventory, Best Pricing

RGT80TS65DGC11

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RGT80TS65DGC11
LIXINC Part #	RGT80TS65DGC11
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - igbts - yksittäinen
Kuvaus	IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RGT80TS65DGC11 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RGT80TS65DGC11 Tekniset tiedot

Osa numero:	RGT80TS65DGC11
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - igbts - yksittäinen
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
igbt tyyppi:	Trench Field Stop
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max):	650 V
virta - kollektori (ic) (max):	70 A
virta - kollektorin pulssi (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 40A
teho - max:	234 W
vaihtoenergiaa:	-
syötteen tyyppi:	Standard
portin maksu:	79 nC
td (päällä/pois) @ 25°c:	34ns/119ns
testi kunto:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
käänteinen palautumisaika (trr):	58 ns
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-247-3
toimittajan laitepaketti:	TO-247N