FDFMA2P853 | Rochester Electronics FDFMA2P853 | FDFMA2P853 Inventory, Best Pricing

FDFMA2P853

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDFMA2P853
LIXINC Part #	FDFMA2P853
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDFMA2P853 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDFMA2P853 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDFMA2P853
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	435 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	1.4W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-MicroFET (2x2)
paketti/laukku:	6-VDFN Exposed Pad