SI4430BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4430BDY-T1-GE3 | SI4430BDY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4430BDY-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI4430BDY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4430BDY-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI4430BDY-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI4430BDY-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI4430BDY-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	14A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.6W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SO
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTK3139PT5G	MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723	104866 Lisää tilauksesta
IPD60R450E6ATMA1	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3	10702 Lisää tilauksesta
R6006JNJGTL	MOSFET N-CH 600V 6A LPTS	1929 Lisää tilauksesta
NTA4151PT1H	MOSFET P-CH 20V 760MA SC75	871 Lisää tilauksesta
2SK4197FS	MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3	60156 Lisää tilauksesta
2SK1971-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	2135 Lisää tilauksesta
CEDM7001 BK PBFREE	MOSFET N-CH 20V 100MA SOT883	15894 Lisää tilauksesta
NTB23N03R	MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK	9173 Lisää tilauksesta
PSMN085-150K,518	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	800 Lisää tilauksesta
STF6N65K3	MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP	997 Lisää tilauksesta
IRFS7762TRLPBF	MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK	1649 Lisää tilauksesta
FDMS86520L	MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN	4294 Lisää tilauksesta
IRFAF42	MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE	903 Lisää tilauksesta