STL3N10F7 | STMicroelectronics STL3N10F7 | STL3N10F7 Inventory, Best Pricing

STL3N10F7

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STL3N10F7
LIXINC Part #	STL3N10F7
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STL3N10F7 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STL3N10F7 Tekniset tiedot

Osa numero:	STL3N10F7
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	DeepGATE™, STripFET™ VII
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	408 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.4W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerFlat™ (2x2)
paketti/laukku:	6-PowerWDFN