SPI21N50C3XKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPI21N50C3XKSA1 | SPI21N50C3XKSA1 Inventory, Best Pricing

SPI21N50C3XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SPI21N50C3XKSA1
LIXINC Part #	SPI21N50C3XKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SPI21N50C3XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SPI21N50C3XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	SPI21N50C3XKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	560 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	21A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	208W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO262-3-1
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA