FDMC86262P | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC86262P

FDMC86262P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDMC86262P
LIXINC Part #	FDMC86262P
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDMC86262P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 11 - Oct 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDMC86262P Tekniset tiedot

Osa numero:	FDMC86262P
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	150 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2A (Ta), 8.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	307mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	885 pF @ 75 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.3W (Ta), 40W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-MLP (3.3x3.3)
paketti/laukku:	8-PowerWDFN