AUIRF7736M2TR | Rochester Electronics AUIRF7736M2TR | AUIRF7736M2TR Inventory, Best Pricing

AUIRF7736M2TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AUIRF7736M2TR
LIXINC Part #	AUIRF7736M2TR
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 22A/108A DIRECT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AUIRF7736M2TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 11 - Oct 15 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AUIRF7736M2TR Tekniset tiedot

Osa numero:	AUIRF7736M2TR
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	22A (Ta), 108A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	108 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.267 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 63W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET™ M4
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric M4