NP50P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics America NP50P04SDG-E1-AY | NP50P04SDG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP50P04SDG-E1-AY

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NP50P04SDG-E1-AY
LIXINC Part #	NP50P04SDG-E1-AY
Valmistaja	Renesas Electronics America
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NP50P04SDG-E1-AY PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 10 - Oct 14 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NP50P04SDG-E1-AY Tekniset tiedot

Osa numero:	NP50P04SDG-E1-AY
Brändi:	Renesas Electronics America
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Renesas Electronics America
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5000 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.2W (Ta), 84W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252 (MP-3ZK)
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63