FDG315N | Rochester Electronics FDG315N | FDG315N Inventory, Best Pricing

FDG315N

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDG315N
LIXINC Part #	FDG315N
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDG315N PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDG315N Tekniset tiedot

Osa numero:	FDG315N
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	PowerTrench®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	220 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	750mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SC-88 (SC-70-6)
paketti/laukku:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363