DMN1019UVT-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMN1019UVT-13
LIXINC Part #	DMN1019UVT-13
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMN1019UVT-13 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMN1019UVT-13 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMN1019UVT-13
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.2V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50.4 nC @ 8 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2588 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.73W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TSOT-26
paketti/laukku:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6