RW1C015UNT2R | ROHM Semiconductor RW1C015UNT2R | RW1C015UNT2R Inventory, Best Pricing

RW1C015UNT2R

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RW1C015UNT2R
LIXINC Part #	RW1C015UNT2R
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RW1C015UNT2R PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RW1C015UNT2R Tekniset tiedot

Osa numero:	RW1C015UNT2R
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	1.8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	110 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	400mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-WEMT
paketti/laukku:	SOT-563, SOT-666