IPI076N12N3GAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI076N12N3GAKSA1 | IPI076N12N3GAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI076N12N3GAKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPI076N12N3GAKSA1
LIXINC Part #	IPI076N12N3GAKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPI076N12N3GAKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPI076N12N3GAKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPI076N12N3GAKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	120 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 130µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	101 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6640 pF @ 60 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	188W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO262-3
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA