DMN30H4D0LFDE-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMN30H4D0LFDE-7
LIXINC Part #	DMN30H4D0LFDE-7
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMN30H4D0LFDE-7 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMN30H4D0LFDE-7 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMN30H4D0LFDE-7
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	300 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	550mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.7V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7.6 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	187.3 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	630mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	U-DFN2020-6 (Type E)
paketti/laukku:	6-PowerUDFN