SI7112DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI7112DN-T1-E3 | SI7112DN-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI7112DN-T1-E3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SI7112DN-T1-E3
LIXINC Part #	SI7112DN-T1-E3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SI7112DN-T1-E3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SI7112DN-T1-E3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SI7112DN-T1-E3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2610 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.5W (Ta)
Käyttölämpötila:	-50°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® 1212-8
paketti/laukku:	PowerPAK® 1212-8