TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPH2R306NH,L1Q
LIXINC Part #	TPH2R306NH,L1Q
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPH2R306NH,L1Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPH2R306NH,L1Q Tekniset tiedot

Osa numero:	TPH2R306NH,L1Q
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVIII-H
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	60A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6100 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOP Advance (5x5)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN