PHT6NQ10T,135 | Nexperia PHT6NQ10T,135 | PHT6NQ10T,135 Inventory, Best Pricing

PHT6NQ10T,135

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PHT6NQ10T,135
LIXINC Part #	PHT6NQ10T,135
Valmistaja	Nexperia
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PHT6NQ10T,135 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PHT6NQ10T,135 Tekniset tiedot

Osa numero:	PHT6NQ10T,135
Brändi:	Nexperia
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Nexperia
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	633 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Käyttölämpötila:	-65°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-223
paketti/laukku:	TO-261-4, TO-261AA