IPS80R2K0P7AKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPS80R2K0P7AKMA1 | IPS80R2K0P7AKMA1 Inventory, Best Pricing

IPS80R2K0P7AKMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPS80R2K0P7AKMA1
LIXINC Part #	IPS80R2K0P7AKMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPS80R2K0P7AKMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPS80R2K0P7AKMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPS80R2K0P7AKMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ P7
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	175 pF @ 500 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	24W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO251-3-342
paketti/laukku:	TO-251-3 Stub Leads, IPak