DMN1019USN-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMN1019USN-7
LIXINC Part #	DMN1019USN-7
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMN1019USN-7 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMN1019USN-7 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMN1019USN-7
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	9.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.2V, 2.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	50.6 nC @ 8 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2426 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	680mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SC-59
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3