STH275N8F7-2AG | STMicroelectronics STH275N8F7-2AG | STH275N8F7-2AG Inventory, Best Pricing

STH275N8F7-2AG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STH275N8F7-2AG
LIXINC Part #	STH275N8F7-2AG
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STH275N8F7-2AG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STH275N8F7-2AG Tekniset tiedot

Osa numero:	STH275N8F7-2AG
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	180A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	193 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	13600 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	315W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	H2Pak-2
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB