BSZ065N03LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ065N03LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ065N03LSATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSZ065N03LSATMA1
LIXINC Part #	BSZ065N03LSATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSZ065N03LSATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSZ065N03LSATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSZ065N03LSATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	670 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.1W (Ta), 26W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TSDSON-8-FL
paketti/laukku:	8-PowerTDFN

AOB190A60CL	MOSFET N-CH 600V 20A TO263	944 Lisää tilauksesta
R6020FNX	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM	1482 Lisää tilauksesta
SIHG20N50E-GE3	MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC	944 Lisää tilauksesta
TPH8R008NH,L1Q	MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP	5803 Lisää tilauksesta
IXFA110N15T2	MOSFET N-CH 150V 110A TO263	91676 Lisää tilauksesta
TK62J60W,S1VQ	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P	870 Lisää tilauksesta
IRFIB41N15DPBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	2287 Lisää tilauksesta
BSH111BKR	MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB	2535 Lisää tilauksesta
AUIRF7416QTR	PFET, 10A I(D), 30V, 0.02OHM, 1O	4881 Lisää tilauksesta
BSZ075N08NS5ATMA1	MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON	893 Lisää tilauksesta
DMN24H3D5L-13	MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23	859 Lisää tilauksesta
SI2312BDS-T1-E3	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	14613 Lisää tilauksesta
IPB020N04NGATMA1	MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7-3	32575 Lisää tilauksesta