BSC079N03LSCGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC079N03LSCGATMA1 | BSC079N03LSCGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC079N03LSCGATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSC079N03LSCGATMA1
LIXINC Part #	BSC079N03LSCGATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSC079N03LSCGATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSC079N03LSCGATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSC079N03LSCGATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	14A (Ta), 50A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 30W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TDSON-8-1
paketti/laukku:	8-PowerTDFN

IPD65R660CFDATMA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3	814 Lisää tilauksesta
SI2319DS-T1-E3	MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3	836 Lisää tilauksesta
SI4116DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 25V 18A 8SO	17581 Lisää tilauksesta
LSIC1MO170E1000	SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L	940 Lisää tilauksesta
SUP60020E-GE3	MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB	1676 Lisää tilauksesta
BTS114AE3045A	N-CHANNEL POWER MOSFET	13124 Lisää tilauksesta
IRFS5615TRLPBF	IRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFET	873 Lisää tilauksesta
FDMS3662	MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN	11385 Lisää tilauksesta
RQ6E085BNTCR	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457	1772 Lisää tilauksesta
APT43M60L	MOSFET N-CH 600V 45A TO264	891 Lisää tilauksesta
FCPF850N80Z	MOSFET N-CH 800V 6A TO220F	15338 Lisää tilauksesta
NTP90N02G	MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB	5592 Lisää tilauksesta
5LN01C-TB-E	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET, 5	126126 Lisää tilauksesta